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作为8英寸碳化硅衬底供应商之一,苏州恒迈瑞公司可同步生长供应4英寸6英寸及8英寸-4H碳化硅同质外延片(SiC-on-SiC)。碳化硅外延是一种化合物半导体材料,由碳+硅元素组成(不考虑掺杂因素),生长于碳化硅衬底表面,具有高电压耐受性、强电流耐受性、高运行稳定性等性能特点,是制造功率器件的关键原材...
作为8英寸碳化硅衬底供应商之一,苏州恒迈瑞公司可同步生长供应4英寸6英寸及8英寸-4H碳化硅同质外延片(SiC-on-SiC)。碳化硅外延是一种化合物半导体材料,由碳+硅元素组成(不考虑掺杂因素),生长于碳化硅衬底表面,具有高电压耐受性、强电流耐受性、高运行稳定性等性能特点,是制造功率器件的关键原材料。
碳化硅外延片是制作功率器件的基石和器件发挥效能的核心。碳化硅衬底无法直接制作器件,一方面因为衬底自身存在各种生长缺陷,无法达到直接制作碳化硅器件的要求。另一方面因为衬底制作工艺导致其很难精确控制掺杂浓度。外延生长技术可以改善衬底缺陷,避免对器件造成致命性影响。同时,外延生长技术也可以精确控制掺杂浓度,提升掺杂浓度均匀性。
SiC-on-SiC碳化硅外延片分类
按掺杂元素划分,可分为N型外延片、P型外延片和PN多层外延片,其中N型碳化硅外延晶片是下游客户主要采购的型号,广泛应用于新能源车、光伏领域所需碳化硅功率器件的生产制造。
按尺寸划分,以导电型同质外延片为主,主要产品为8英寸(200mm)6英寸(150mm)和4英寸(100mm)碳化硅外延晶片。目前主流为8英寸和6英寸,受限于4英寸碳化硅衬底的供应,仅有极少量厂商生长4英寸碳化硅外延片。
4inch & 6 inch SiC Wafer Manufacturer-New Energy Vehicles Applications
Ultrafast Laser Vertical Modification Of SiC Single Crystal Materials
P-type SiC Wafer Manufacturer Low Resistance High Doping
Detailed Explanation SiC Wafer Processing Technology
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