碳化硅同质外延片生产商-功率器件

作为8英寸碳化硅衬底供应商之一，我司HMT可同步生长供应4英寸6英寸及8英寸-4H碳化硅同质外延片（SiC-on-SiC）。碳化硅外延是一种化合物半导体材料，由碳+硅元素组成（不考虑掺杂因素），生长于碳化硅衬底表面，具有高电压耐受性、强电流耐受性、高运行稳定性等性能特点，是制造功率器件的关键原材料。

碳化硅外延片是制作功率器件的基石和器件发挥效能的核心。碳化硅衬底无法直接制作器件，一方面因为衬底自身存在各种生长缺陷，无法达到直接制作碳化硅器件的要求。另一方面因为衬底制作工艺导致其很难精确控制掺杂浓度。外延生长技术可以改善衬底缺陷，避免对器件造成致命性影响。同时，外延生长技术也可以精确控制掺杂浓度，提升掺杂浓度均匀性。

SiC-on-SiC碳化硅外延片分类

按掺杂元素划分，可分为N型外延片、P型外延片和PN多层外延片，其中N型碳化硅外延晶片是下游客户主要采购的型号，广泛应用于新能源车、光伏领域所需碳化硅功率器件的生产制造。

按尺寸划分，以导电型同质外延片为主，主要产品为8英寸（200mm）6英寸（150mm）和4英寸（100mm）碳化硅外延晶片。目前主流为8英寸和6英寸，受限于4英寸碳化硅衬底的供应，仅有极少量厂商生长4英寸碳化硅外延片。